Výhody keramických substrátů

◆Koeficient tepelné roztažnosti keramického substrátu je blízký koeficientu křemíkového čipu, což může ušetřit Mo čip přechodové vrstvy, ušetřit práci, materiál a náklady;

◆Snížení vrstvy pájky, snížení tepelného odporu, snížení dutin a zlepšení výtěžnosti;

◆Při stejné proudové zatížitelnosti je šířka čáry 0.3 mm tlusté měděné fólie pouze 10 procent šířky běžných desek plošných spojů;

◆ Vynikající tepelná vodivost činí balení čipu velmi kompaktní, takže hustota výkonu je výrazně zlepšena a spolehlivost systému a zařízení je zlepšena;

◆ Ultratenký (0.25 mm) keramický substrát může nahradit BeO, žádný problém s environmentální toxicitou;

◆Velká proudová zatížitelnost, 100Proud nepřetržitě prochází 1mm širokým 0,3mm silným měděným tělem, nárůst teploty je asi 17 stupňů; 100A proud nepřetržitě prochází 2 mm širokým 0,3 mm tlustým měděným tělem, nárůst teploty je pouze asi 5 stupňů;

◆Nízký tepelný odpor, tepelný odpor keramického substrátu 10×10mm je 0,31K/W o tloušťce 0,63mm, tepelný odpor {{10}},38 mm tlustého keramického substrátu je 0,19K/W a tepelný odpor 0,25mm tlustého keramického substrátu je 0,19K/W. Tepelný odpor je 0,14K/W.

◆ Vysoké izolační odolné napětí pro zajištění osobní bezpečnosti a ochrany zařízení.

◆ Lze realizovat nové způsoby balení a montáže, díky čemuž je produkt vysoce integrovaný a kompaktní.